小型CVD管式炉炉管两端不锈钢法兰密封,可在真空下工作,法兰上有进气口和出气口,可通入保护气体,精密针型阀可调节进气流量。
炉型可选择普通管式炉、滑动管式炉、旋转管式炉、立式管式炉。
化学气相沉积(CVD)是指化学气体或蒸汽在基质表面反应合成涂层或纳米材料的方法,是半导体工业中广泛的用来沉积多种材料的技术,包括大范围的绝缘材料,大多数金属材料和金属合金材料。
应用领域:
小型CVD管式炉是一种多功能的材料制备设备,可以用于制备多种类型的材料,特别是二维材料。在使用时,需要根据具体的材料和实验要求,选择合适的反应条件和工艺参数,以获得高质量的材料样品。
主要技术参数:
电炉名称:1200℃-CVD管式炉
炉管尺寸:φ25--φ120mm
温区长度:300mm
设计温度:1200℃
炉型结构:普通管式炉、滑动管式炉、旋转管式炉、立式管式炉。
气体控制:2路浮子混气室、3路浮子混气室、5路浮子混气室;2路质子混气室、3路质子混气室、5路质子混气室;
电源电压:AC220V/50Hz
控温精度:±1℃
1、一体式结构,立式设计,双色搭配,美观、大方
2、壳体为高强度双层钣金,并辅以风冷强制对流,有效的降低了炉体表面温度,增强了安全性。
3、壳体采用高精度激光切割和数控折弯工艺成型,尺寸精准炉整体结构紧凑,占地面积小。
4、整体配色大方美观,静电喷塑工艺环保防腐,双色搭配,可支持自由定制喷涂颜色。
6、炉膛材料选用高纯氧化铝陶瓷纤维材料,新型拼装结构,高温不变形、坚固耐用
2、加热元件采用高温合金丝,可承受负荷大,稳定且使用寿命长
3、炉管采用石英管,两端不锈钢法兰设计简单、合理、易拆卸,方便进出被烧结样品
4、升温速度快,升温速率可达25℃/min,建议20℃/min。
5、采用智能PID控制,控温精度高,冲温小,具有温度补偿和温度校正功能,精度为±1℃
6、控温仪表具有程序功能,可设定升温曲线,可编程序30段
7、一体式结构,出色的外观设计,美观、大方
8、电子元器件均采用知名电炉,配有漏电保护功能
9、本机对工作过程中的超温会发出报警信号,并自动完成保护动作
10、当仪表程序设定完成后,只要按下运行按钮,接下来的工作会自动完成
11、可选配大屏幕触摸屏无纸记录仪,实现对升温曲线的实时记录,并配有存储卡可对实验数据进行分析和打印
12、可选配气体质量流量计,通入气体可数字精确控制
电炉规格 |
STR-CTF25-12 |
STR-CTF40-12 |
STR-CTF60-12 |
STR-CTF80-12 |
STR-CTF100-12 |
STR-CTF120-12 |
炉管尺寸 |
Φ25x800mm |
Φ40x800mm |
Φ60 x800mm |
Φ80x800mm |
Φ100x800mm |
Φ120x800mm |
设计温度 |
1200℃ |
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工作温度 |
1100℃ |
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温区长度尺寸 |
300mm |
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电源电压 |
220V/1.8KW |
220V/1.8KW |
220V/2.6KW |
220V/2.6KW |
220V/2.6KW |
220V/5KW |
加热元件 |
高温合金电阻丝 |
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炉膛材料 |
湿法真空抽滤成型制备的多晶无机氧化铝陶瓷纤维材料 |
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炉管材料 |
石英管 |
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控温精度 |
±1℃ |
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测温元件 |
N型热电偶 |
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温控仪表 |
智能智能温控仪表+PID控制,SCR/SSR控制,PID参数自整定功能; 可编程序30个时段,程序升温、程序保温、程序降温 |
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升温速度 |
1-25℃/min自由调节 |
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炉体结构 |
炉膛温控一体式结构,炉膛开合式;双层炉体外壳,空气循环隔热 |
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密封性能 |
炉管两端装有不锈钢金属法兰,配套高温PTFE垫圈,可在真空下进行工作, 密封真空度≤0.0001pa |
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气氛性能 |
法兰两端有进气口和出气口,压力表装在金属法兰上,精密针型阀可调节进气和出气量, 可通入氮气、氩气、氢气等保护气体 |
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真空获得 |
配套独立的真空获得系统,系统内配有1台双旋片式真空泵和数字真空计,包括不锈钢波纹管和挡板阀等组件, 真空度≤0.098Mpa,还可以选择分子泵机组 |
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气路系统 |
配套独立的气路系统,系统有三路浮子流量计组成的混气室,可单进单出也可三路气体混气后进入管式炉系统, 浮子流量计量程:60-600ml/min; 也可选质量流量计系统: 控制精度±1.5%FS,重复精度±0.2%FS, 量程:一路0-100SCCM,二路0-200SCCM,三路0-500SCCM |
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设备保护 |
模块化控制,对工作过程中的超温、断偶会发出声光报警信号,并自动完成保护动作 |
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人员保护 |
在设备上装有空开断路器,如发生短路漏电情况时会自动弹开,能保护设备和操作人员 |
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炉体外壳 |
加厚冷轧钢板数控机床下料加工,经过焊接、打磨、抛光、磷化、酸洗、表面静电喷涂塑粉 |
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质量认证 |
ISO9001 CE SGS TUV |
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标准配置 |
1、炉体1台 2、温度控制器1台 3、电源线3米 4、热电偶一支 5、说明书一份(内含合格证、保修卡) 6、炉钩一把 7、高温手套一双 8、管堵二个 9、密封法兰一套 |
1200℃滑动式真空管式炉炉体小巧,升温速度极快,它不仅可以抽真空,也可以通气体保护。其结构使得拆装炉管方便,操作简捷,使用者可直接将密封腔体移出炉体,加快降温过程,透明石英管腔体可直观的看到样品烧结状态。炉管工件横穿与进口电阻丝的炉膛,温场均匀,内外温差可控制在正负3度,滑轨炉设计可是样品快速升温或降温。预热的装置可以很好控制固态源的蒸发,可用于二维材料的制备等,是一款性价比极高的快速升降温炉。
电炉名称 |
1200度开启式真空管式滑轨炉 |
炉管尺寸 |
Φ60×1200mm 更多其他规格石英管可选(Φ40/80mm等) |
主要参数 |
设计温度: 1200℃(使用时必须通入惰性气体以防止炉管发生形变) 工作温度: ≤1100℃ 推荐升温速率:≤20℃/min 加热区长度:230mm 额定功率:2KW 电压:单相AC 208 - 240V, 50Hz |
炉体结构 |
双层空气冷却钢壳保持炉表面温度低于60°C 高纯状氧化铝纤维绝缘层,zui大限度节约能源 炉膛和加热元件上的特殊耐火涂层可延长炉子的使用寿命 |
温控系统 |
模糊PID控制和自整定调节功能 智能化30段可编程控制 具有超温及断偶报警功能 控温精度: ±1 ℃ K型热电偶 可安装PC控制软件对数据进行实时采集(需另购) |
温控仪表(可选) |
标配仪表为宇电,可指定其他品牌温控仪表,如岛电等。 |
管堵 |
多种规格管堵,防止来自内部管子的热辐射,管堵在加热前必须完全放入炉腔。 石英管堵满足洁净实验环境或者较高真空需求 |
密封系统 |
炉管两端配有不锈钢密封法兰。(包括精密针阀、指针式真空压力表、软管接头) 如需获得较高的真空度,建议采用不锈钢波纹管连接及数显真空计(需另外订购) 备注: 本公司标配法规格如下进气端Φ6卡套接口,可连接Φ6不锈管或者聚四氟管。 出气端预留KF25接口,方便连接真空泵,KF16接口,方便连接数显真空计,以及Φ9气嘴接头,以便出气 |
扩展端口 |
如进气管道为橡胶软管,则需将进气口更换成Φ9气嘴接头 |
真空度 |
双极旋片机械泵:10^-1Pa 分子泵机组:10^-3 Pa 可选配本公司配套高低真空 |
设备名称 |
2路质量流量控制系统 |
设备型号 |
GS-2Z |
电压 |
220VAC 单相 50/60Hz |
针阀材质 |
316不锈钢 |
量程 |
100sccm、200sccm(可根据工艺要求提供多种量程选择) |
工作温度 |
5~45℃ |
外型尺寸 |
600(L) x 600(W) x 750(H) mm |
电压 |
AC220V/50Hz单相 |
功率 |
23W |
炉管内气压不可高于0.02MPa
由于气瓶内部气压较高,所以向炉管内通入气体时,气瓶上必须安装减压阀,建议在本公司选购减压阀,本公司减压阀量程为0.01MPa-0.1MPa,使用时会更加精确安全
当炉体温度高于1000℃时,炉管内不可处于真空状态,炉管内的气压需和大气压相当,保持在常压状态
进入炉管的气体流量需小于200SCCM,以避免冷的大气流对加热石英管的冲击
石英管的长时间使用温度<1100℃
对于样品加热的实验,不建议关闭炉管法兰端的抽气阀和进气阀使用。若需要关闭气阀对样品加热,则需时刻关注压力表的示数,若气压表示数大于0.02MPa,必须立刻打开泄气阀,以防意外发生(如炉 管破裂,法兰飞出等)
小型CVD管式炉是一种常用于材料科学研究和工业生产的设备,它能够在高温、高压、高真空等苛刻条件下进行各种材料的制备、烧结、还原等实验。根据搜索结果,小型CVD管式炉通常用于以下几类材料的制备:
石墨烯:石墨烯是一种由单层碳原子以蜂窝状排列构成的二维材料,具有优异的导电、导热性能和力学强度。CVD管式炉是制备石墨烯的常用设备之一,通过在高温和高真空环境下,使用氢气作为还原性气体,通入到炉内,生成石墨烯。
碳纳米管:碳纳米管是一种由碳原子组成的管状纳米材料,具有优异的电学、热学和力学性能。CVD管式炉可以用于制备碳纳米管,通过控制反应条件,可以调控碳纳米管的直径、长度和结构。
二硫化钼:二硫化钼是一种过渡金属硫化物,具有良好的半导体性能和催化性能。CVD管式炉可以用于制备二硫化钼薄膜,通过改变反应条件,可以调控薄膜的厚度和结构。
其他二维材料:除了上述材料外,CVD管式炉还可以用于制备其他二维材料,如磷烯、硼烯等。这些材料都具有独特的物理和化学性质,被广泛应用于光电器件、传感器、催化剂等领域。
如何根据需要选择合适的小型CVD管式炉?
选择合适的小型CVD管式炉需要考虑以下几个关键因素:
应用需求:首先确定需要进行的CVD应用,例如生长薄膜、合成纳米材料、制备涂层等。不同的应用可能需要不同类型的CVD炉,如低压CVD、等离子体增强化学气相沉积(PECVD)等。
材料类型:根据所需材料的特性和性质,选择适合的CVD炉。例如,有机材料可能需要低温CVD,而无机材料可能需要高温CVD。
工作温度范围:确定您的CVD工艺所需的工作温度范围。不同的炉子有不同的最高和最低温度限制,因此,选择能够满足您工艺要求的炉子是非常重要的。
炉管材质:炉管的材质对于CVD过程的影响很大。常见的炉管材质有石英、刚玉和金属等。石英炉管适用于高温和腐蚀性环境,而金属炉管则适用于需要更高真空度的环境。
反应气体:确定需要使用的反应气体种类和纯度要求。一些CVD炉可以处理多种气体,而另一些可能只适用于特定类型的气体。
真空系统:对于许多CVD工艺来说,真空环境是必不可少的。因此,选择一个合适的真空系统是非常重要的。需要考虑的因素包括真空泵的类型、抽速和真空度等。
炉腔尺寸:根据处理样品的尺寸和数量,选择合适的炉腔尺寸和容积。确保炉腔足够大,以容纳需要处理的样品,并保持样品的均匀沉积。
加热方式: CVD炉可以采用不同的加热方式,如电阻加热、感应加热等。根据处理材料的特性和加热均匀性要求,选择合适的加热方式。
气体控制系统:CVD过程需要精确控制气体的流量和比例。因此,选择一个可靠的气体控制系统是非常重要的。需要考虑的因素包括气体流量计的精度、气体的混合方式以及气体的供应方式等。
能源消耗: 考虑CVD炉的能源消耗情况,选择能效高、节能环保的设备,可以降低生产成本并符合环保要求。
设备尺寸和占地面积:需要根据您的实验室或工厂的空间大小和布局来选择合适的设备尺寸和占地面积。
品牌和服务: 选择知名度高、信誉良好的厂家和品牌,确保产品质量和售后服务的可靠性。
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