小型管式CVD气相沉积炉也叫cvd管式炉,由开启式单(双)温区管式炉、高真空分子泵系统、压强控制仪及多通道高精度数字质量流量控制系统组成。可实现高真空状态下、混合气体化学气相沉积和扩散试验。
CVD管式炉主要用于高校、科研院所、工矿企业做高温气氛烧结、气氛还原、CVD/CVI实验,特别适用于真空镀膜、纳米薄膜材料制备、纳米线生长、电池材料干燥烧结等场所。
CVD管式炉是在高温条件下通过一定的化学反应将物质转化成固态薄膜的一种重要设备。它广泛应用于材料科学研究、能源、电子、国防等领域。
CVD管式炉能够在高温下提供稳定的加热环境,促进化学反应,合成高质量的固态薄膜。
PECVD系统是借助射频使含有薄膜组成原子的气体电离,在局部形成等离子体,而等离子体化学活性很强,很容易发生反应,在基片上沉积出所期望的薄膜。
1.薄膜沉积速率高:射频辉光技术,大大的提高了薄膜的沉积速率,沉积速率可达10?/S;
2. 大面积均匀性高:采用了先进的多点射频馈入技术,特殊气路分布和加热技术等,使得薄膜均匀性指标达到8%;
3. 一致性高:用半导体行业的先进设计理念,使得一次沉积的各基片之间偏差低于2%;
4. 工艺稳定性高:高度稳定的设备保证了工艺的连续和稳定;
5.智能CVD设备是目前最新型的一款设备,将所有的控制部分集为一体,此款设备是博纳热获得专利的设备。高温真空加热炉温度控制系统采用经典的闭环负反馈控制系统。电气元件采用优质的进口产品,做到高性能、免维护,提高了设备质量的可靠性。
6.适用范围宽:金属薄膜,陶瓷薄膜等,复合薄膜,连续生长各种薄膜等。增加功能容易,可扩展等离子清洗刻蚀等功能。
产品名称 |
CVD化学气相沉积系统 |
产品电炉型号 |
STR-CVD/PECVD |
滑道 |
带滑道,可滑动炉膛,实现快速升温或冷却功能 |
加热区长度 |
400mm 单温区/双温区 |
炉管尺寸 |
直径60x1200mm 外径x长 |
炉管材质 |
高纯石英管 |
工作温度 |
≤1100℃ |
温控系统 |
人工智能PID仪表,自动控制温度 |
温控精度 |
±1℃ (具有超温及断偶报警功能) |
加热速率 |
建议 0~10℃/min |
加热元件 |
高品质电阻丝 |
cvd设备真空系统
cvd设备 |
额定电压 |
额定电压 |
单相 220V 50Hz |
可通气体 |
氮气、氩气等惰性气体 |
测温元件 |
热电偶测温 |
壳体结构 |
双层壳体结构带风冷系统 |
真空法兰 |
带有进气口,另一端带控压阀,气动泄压阀和放气阀。 |
供气系统 |
四路精密质子流量计,通过触屏来调节气体流量 |
真空系统 |
旋片泵,真空度在空炉冷态可达1pa, 真空计:进口数显真空计实时显示真空度,精度高。 |
气体定量系统 |
整体可以控制压力范围-20kpa到20kpa(相对压力) |
额定电压 |
单相 220V 50Hz |