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小型PECVD管式炉又叫做等离子增强化学气相沉积(PECVD)的设备，是制造半导体器件和电池(电池片、正负极电池材料等)、晶体生长(石墨烯生长、砖石生长等材料)的重要工具之一。
PECVD系统是借助微波或射频使含有薄膜组成原子的气体电离，在较低的温度下合成高质量的薄膜材料，在局部形成等离子体，而等离子体化学活性很强，很容易发生反应，在基片上沉积出所期望的薄膜。
电源范围广;温度范围宽;溅射区域长;整管可调;精致小巧,性价比高;可实现快速升降温,是实验室生长薄膜石墨烯,金属薄膜，陶瓷薄膜，复合薄膜等的好选择;也可作为扩展等离子清洗刻蚀使用。
炉体：
炉体是PECVD管式炉的主体结构，通常采用高温合金材料制造，能够承受高温和高压。
加热系统：
加热系统是PECVD管式炉的核心部分，通常采用辐射加热方式，通过高温电热元件将电能转化为热能。
反应室：
反应室是PECVD管式炉的核心部件，它是一个密闭的、能够控制气氛的容器。反应室内部通常安装有热电偶和温度控制器。
微波或射频系统：
微波或射频系统是PECVD管式炉的重要部分，用于产生等离子体，增强化学反应。
气体系统：
气体系统是PECVD管式炉的重要组成部分，用于控制气体的流入和流出，保证化学反应的顺利进行。
控制系统：
控制系统是PECVD管式炉的关键部分，用于控制设备的运行和化学反应的过程。
安全保护系统：
安全保护系统用于确保设备运行的安全性和稳定性。
PECVD非晶硅沉积速率快，可实现原位掺杂，将沉积工艺总时间控制在35分钟以内。虽然PECVD也会在硅片侧面及电池正面边缘区产生轻微的绕度区，但是易于去除。此外，PECVD的非晶硅仅沉积在石墨舟上，可定期清理，无需石英管耗材。
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产品名称 |
CVD化学气相沉积系统 |
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产品电炉型号 |
STR-CVD/PECVD |
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滑道 |
带滑道，可滑动炉膛，实现快速升温或冷却功能 |
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加热区长度 |
400mm 单温区/双温区 |
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炉管尺寸 |
直径60x1200mm 外径x长 |
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炉管材质 |
高纯石英管 |
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工作温度 |
≤1100℃ |
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温控系统 |
人工智能PID仪表，自动控制温度 |
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温控精度 |
±1℃ (具有超温及断偶报警功能) |
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加热速率 |
建议 0~10℃/min |
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加热元件 |
高品质电阻丝 |
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真空系统 |
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额定电压 |
单相 220V 50Hz |
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可通气体 |
氮气、氩气等惰性气体 |
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测温元件 |
热电偶测温 |
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壳体结构 |
双层壳体结构带风冷系统 |
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真空法兰 |
带有进气口，另一端带控压阀，气动泄压阀和放气阀。 |
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供气系统 |
四路精密质子流量计，通过触屏来调节气体流量 |
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真空系统 |
旋片泵，真空度在空炉冷态可达1pa， 真空计：进口数显真空计实时显示真空度，精度高。 |
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气体定量系统 |
整体可以控制压力范围-20kpa到20kpa(相对压力) |
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额定电压 |
单相 220V 50Hz |
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电炉型号 |
炉管直径x加热区长度mm |
功率(kW) |
设计温度设计温度（℃） |
射频电源 |
气体控制 |
真空度（Pa） |
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| 频率 | 功率 | ||||||
|
STR-PECVD-60 |
Φ60×450 |
4 |
1200 |
13.56MHz±0.005% |
300-500W |
3路 |
10Pa/7x10-3 |
|
STR-PECVD-80 |
Φ80×450 |
5 |
1200 |
3路 | 10Pa/7x10-3 | ||
|
STR-PECVD-100 |
Φ100×450 |
7 |
1200 |
3路 | 10Pa/7x10-3 | ||
Phone
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